引言
EEPROM（电可擦可编程只读存储器）因其非易失性和可重复编程特性，广泛应用于嵌入式系统、IoT设备等场景。然而，其有限的擦写次数（通常为10万~100万次）可能成为长期稳定运行的瓶颈。本文提供可以提高寿命的方法并提供可以实现的代码。
1. 减少写入操作
核心原则
最大化每次写入的“数据价值”，避免无效写入。
实现方法：
数据变更检测：仅在数据实际变化时执行写入。
void EEPROM_Update(uint16_t addr, uint8_t new_data) {
uint8_t old_data = EEPROM_Read(addr);
if (old_data != new_data) {
EEPROM_Write(addr, new_data);
}
}
批量写入：合并多次小数据更新为单次块写入。缓存机制：在RAM中暂存高频修改数据，定期同步。
2. 均衡磨损
核心思想
动态分配存储地址，避免集中写入同一区域。
以下的代码可以大大延长eeprom的寿命，下面是存放家用电器工作模式的数据。断电后重新上电可以保存断电前的状态。
实现方案：
// 配置参数
volatile unsigned char adress;
volatile unsigned char current_mode;
volatile unsigned char write_cnt;
#define mode0 0 //模式1
#define mode1 1
#define mode2 2
#define mode2 3
void eeprom_write(unsigned char adress,unsigned char data);
void eeprom_read(unsigned char adress);
void main()
{
//初始化
adress=eeprom_read(0x00);
if(adress>可写入的地址)
{
adress=1;//0为存地址的空间
}
current_mode=eeprom_read(adress);//读取之前保存的地址
while(1)
{
//写入操作,需要放在模式切换的地方
//切换模式后把模式存入eeprom
eeprom_write(adress,current_mode);
write_cnt++;
if(write_cnt>10)//写了10次后更换写入的地址，可以更换次数
{
write_cnt=0;
adress++;
if(adress>可写入的地址)
{
adress=1;//0为存地址的空间
}
eeprom_write(0x00, adress);//更新写入的地址
}
}
}
3. 存储结构优化
策略：
分块管理：将数据按功能划分为配置区、日志区等。数据类型压缩：使用位域存储布尔值，uint8_t替代float。
4. 定时触发式磨损均衡
高级技巧：
利用硬件定时器定期切换存储区域，即使无数据更新也分散潜在写入。
// 在中断中更新区域
void __interrupt() isr() {
if (TMR1IF) {
TMR1IF = 0;
//24h计数
//置标志位，在主循环中对adress++，并把adress写入eeprom;
}
}
5. 硬件级优化
关键措施：
电源滤波：添加去耦电容）。温度控制：避免环境温度过高。选型建议：选择工业级EEPROM。
6. 监控与维护
实现方案：
检测损坏的存储区跳过去该区存储。
还没有编写代码，作者的代码用在家电类产品，要求没有那么高，一般不需要这方面的代码，有什么好的建议都可以和我交流探讨，私信加入我的qq群一起探讨，有什么好的方法可以一起分享。
自检固件：启动时自动扫描损坏块并标记。
替代方案对比
存储器类型擦写次数优点缺点EEPROM10^5~10^6接口简单，低成本寿命有限FRAM10^12无限寿命，高速写入价格高MRAM10^15抗辐射，超高速度容量较小NOR Flash10^4~10^5高密度存储块擦除较慢
总结与推荐
基础优化：所有项目都应实现数据变更检测和均衡磨损。中级优化：关键系统建议加入CRC校验和温度监控。高级方案：写入推荐“定时触发+多级均衡磨损”组合策略。
通过综合应用上述方法，可将EEPROM寿命从10万次提升至千万次级，满足绝大多数严苛场景需求。最终方案需根据具体硬件资源、数据更新频率和成本预算综合权衡。
均衡磨损稳定寿命高效的均衡算法详细见我的另一篇文章，让eeprom的寿命提升100倍.